一、抛光液为化学机械抛光过程中的主要耗材，占比达50%以上
根据观研M88体育官方网发布的《中国CMP抛光液产业现状深度分析与投资前景研究M88体育官方（2024-2031年）》显示，CMP（Chemical Mechanical Polishing）指的是化学机械抛光，是晶圆制造过程中的晶圆平坦化过程。CMP 技术利用化学腐蚀和机械研磨的方式，借助超微离子研磨作用以及浆料的化学腐蚀作用在被研磨的介质表面上形成光洁的平面。根据不同工艺制程和技术节点的要求，每一片晶圆在生产过程中都会经历几道甚至几十道的 CMP 抛光工艺步骤。
在化学机械抛光过程中，涉及到的材料主要包括抛光液、抛光垫、调节器、CMP 清洗液以及其他耗材，其中抛光液是主要耗材，占比达到 50%以上。
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二、随着晶圆厂持续扩产，我国CMP抛光液市场规模增速快于全球
半导体市场的扩张带动CMP抛光液产业发展。根据数据，2017-2023年全球CMP抛光液市场规模由12.7亿美元增长至21.5亿美元，2017-2023年年复合增长率为9%。
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随着我国晶圆厂持续扩产，我国CMP抛光液市场规模增速快于全球。数据显示，2017-2023年我国CMP抛光液市场规模由14.9亿元增长至29.6亿元，2017-2023年年复合增长率为12.12%。
中国大陆 12 寸晶圆产能扩张情况
| 状态 | 厂商 | 公司主体名称 | 地点 | 当前产能（万片/月） | 规划产能（万片/月） |
| 建成 | 中芯国际 | 中芯南方集成电路制造有限公司 | 上海 | 1.5 | 3.5 |
| 在建 | 中芯国际 | 中芯南方集成电路制造有限公司 | 上海 | 0 | 3.5 |
| 建成 | 中芯国际 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 北京 | 5.2 | 6 |
| 建成 | 中芯国际 | 中芯北方 | 北京 | 6.2 | 10 |
| 在建 | 中芯国际 | 中芯京城 | 北京 | 0 | 5 |
| 计划 | 中芯国际 | 中芯京城 | 北京 | 0 | 5 |
| 计划 | 中芯国际 | 中芯京城 | 北京 | 0 | 5 |
| 计划 | 中芯国际 | 中芯京城 | 北京 | 0 | 5 |
| 建成 | 中芯国际 | 中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司 | 深圳 | 0 | 4 |
| 建成 | 华虹集团（上海华力） | 华力微电子 | 上海 | 3.5 | 3.5 |
| 建成 | 华虹集团（上海华力） | 华力集成电路 | 上海 | 3 | 4 |
| 建成 | 华虹集团（华虹半导体） | 华虹半导体（无锡）有限公司 | 无锡 | 2.5 | 8 |
| 计划 | 华虹集团（上海华力） | 华力八厂 | 上海 | 0 | 4 |
| 计划 | 华虹集团（华虹半导体） | 华虹九厂 | 无锡 | 0 | 8 |
| 建成 | 长江存储 | 长江存储科技有限责任公司 | 武汉 | 5 | 10 |
| 在建 | 长江存储 | 长江存储科技有限责任公司 | 武汉 | 0 | 10 |
| 建成 | 长江存储 | 长江存储科技有限责任公司 | 武汉 | 0 | 10 |
| 在建 | 长江存储 | 成都紫光国芯存储科技有限公司 | 成都 | 0 | 30 |
| 暂停 | 长江存储 | 南京紫光存储科技控股有限公司 | 南京 | 0 | 30 |
| 计划 | 合肥长鑫 | 长鑫存储技术有限公司 | 合肥 | 4 | 12.5 |
| 计划 | 合肥长鑫 | 长鑫存储技术有限公司 | 合肥 | 0 | 12.5 |
| 建成 | 合肥长鑫 | 长鑫存储技术有限公司 | 合肥 | 0 | 12.5 |
| 建成 | 晶合集成 | 合肥晶合集成电路有限公司 | 合肥 | 4 | 4 |
| 计划 | 晶合集成 | 合肥晶合集成电路有限公司 | 合肥 | 0 | 4 |
| 计划 | 晶合集成 | 合肥晶合集成电路有限公司 | 合肥 | 0 | 4 |
| 在建 | 晶合集成 | 合肥晶合集成电路有限公司 | 合肥 | 0 | 4 |
| 在建 | 广州粤芯 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 广州 | 2 | 4 |
| 在建 | 芯恩 | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 | 青岛 | 0.3 | 4 |
| 在建 | 士兰微 | 杭州士兰集昕微电子有限公司 | 杭州 | 3.6 | 4 |
| 建成 | 士兰微 | 杭州士兰集昕微电子有限公司 | 杭州 | 3.5 | 4 |
| 建成 | 士兰微 | 厦门士兰集科微电子有限公司 | 厦门 | 4 | 8 |
| 计划 | 士兰微 | 厦门士兰集科微电子有限公司 | 厦门 | - | 8 |
| 建成 | 福建晋华 | 厦门士兰集科微电子有限公司 | 泉州 | - | 6 |
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三、先进制程产能投入下CMP抛光液价格走高
芯片制程越小，CMP 工艺数量快速增加。对于逻辑芯片，随着芯片制程缩小，对应的光刻次数、刻蚀次数增加，带动 CMP 工艺步骤数增加。180nm 制程的逻辑芯片，其 CMP 平坦化工艺步骤数为 10 次；14nm 制程的逻辑芯片 CMP 平坦化工艺步骤数超过 20 次；7nm 制程的逻辑芯片 CMP 平坦化工艺步骤数超过 30 次。
不同芯片制程CMP 工艺次数
| 芯片制程 | CMP 工艺次数 |
| 180nm | 10 次 |
| 14nm | 超过 20 次 |
| 7nm | 超过 30 次 |
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在先进制程产能投入的大背景下，CMP抛光液价格走高。一方面由于制程的缩小，对于研磨颗粒要求更加细小，技术要求更高，价值量更高。另一方面，制程缩小带来 CMP工艺次数的增加，先进制程需要的抛光液的用量更大，更小制程的抛光液用量占比更高。随着半导体对先进制程的需求增加，抛光液的平均销售价格将不断提升。
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